第522章 分辨率10μm（6 / 6）
考虑到显影之后，光刻胶就只剩下了需要的那一部分，试验人员的想法，是再上一次光刻胶，看看两次光刻显影结果的重叠程度。
这也算是个笨办法，如果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。
光是线宽10μm，其实光刻机的制程是到不了10μm的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。
凡是做集成电路，哪怕工艺简单如PMOS，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。
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