第一百三十一章 光刻机技术路线（3 / 3）

光通过图案的开放区域，被阻挡的部分与图案相对应。

然后，光通过投影光学系统，该系统将图案缩放并聚焦到硅晶圆上涂有光刻胶的表面。

经过曝光后，光刻胶中的光敏材料发生化学变化。

在阳性光刻胶中，曝光区域变得更容易溶解；在阴性光刻胶中，曝光区域变得更不容易溶解。

将硅晶圆浸入显影液中，溶解掉光刻胶中发生化学变化的区域。

这样，光掩膜上的图案就被准确地转移到硅晶圆表面的光刻胶上。

光刻胶图案形成后，通过刻蚀、掺杂或金属沉积步骤将逐层构建出完整的芯片。

在没有线上百科，不对，现在已经有ora百科了，总之能够准确说出arf和krf证明周新在光刻机领域还是有比较深入研究的。

毕竟很多光刻机领域的从业人员都不知道还有arf这条技术路线。

林本坚说：“arf的波长是193n，而krf光源的波长是248n，较短的波长有助于实现更高的分辨率和更精细的图案。”

周新问：“但是arf他在具体处理更小的制程节点的时候，会出现更多的线性波动和不规则性。

虽然arf波长更短，但是它的不可控性更高。

这对于工业化生产来说是大忌。

这才是为什么尼康也好，asl也好，在尝试过arf之后，都不愿意继续朝着这个方向投入研发成本的最重要原因吧。”

周新话音刚落，林本坚脸色大变，周新知道arf和krf，这他能理解。

因为这些都是发表在公开期刊上的内容，但凡对光刻机感兴趣的人，都有机会阅读到。

但是周新能够准确说出不往arf方向投入的原因，即便从业人员，都没有办法知道的内容。