第34o章 简化工艺（1 / 3）

几天后，他再次出现在“创客联盟”

的地下室。

这一次，他手里多了一个厚厚的笔记本。

“欧阳，阿谦，先停一下。”

明朗叫停了又在争论的兄弟俩，将笔记本摊开在堆满元件的工作台上：“我回去想了很久，关于我们那个屏幕，我有些新的想法。

我们不能只盯着触摸屏本身，我们要做，就做整个显示模组！

从tft阵列开始！”

“什么？从阵列开始？”

欧阳旭惊得眼镜都快掉了：“明哥，你知道那需要无尘车间、光刻机、镀膜机……那得花多少钱？我们这破地方怎么可能？”

“听我说完。”

明朗沉稳地压压手，指着笔记本上画出的流程图：“是的，完整的tft阵列工艺非常复杂，动辄几十上百道工序。

但如果我们目标明确，只做小尺寸、低分辨率（24o32o，也就是qvga），我们可以把它压缩到十几道关键工序。

这不是天方夜谭。”

他开始详细阐述他构思的简化版量产工艺：

1阵列（array）工艺-简化版核心

“先，基底。

我们不用追求高标准的玻璃基板，就用国产的、厚度o5左右的钠钙玻璃就行，成本低。

先进行清洗和预处理。”

“然后，第一次薄膜沉积——栅极金属层。

我们用磁控溅射的方式，镀上一层钼铝钼（o-a1-o）合金层。

o和玻璃附着力好，a1导电性好且便宜，上面的o层可以防止a1扩散和氧化。

这是我们未来栅极线和栅电极的基础。”

“接着，第一次光刻（photo-1）。

涂上光刻胶，用我们设计的栅极图案掩膜板进行曝光、显影。

然后通过湿法刻蚀，把不需要的金属层蚀刻掉，形成我们设计好的栅极扫描线（gatele）和tft的栅极（gatee1ectrode）。

清洗，脱掉剩余光刻胶。”

“下一步，沉积栅极绝缘层（gi层）和半导体有源层。

用pecvd（等离子体增强化学气相沉积）设备，连续沉积氮化硅（sx）作为绝缘层，和非晶硅（a-si）层作为tft的沟道材料。

这一步很关键，决定了tft的开关特性。”

“第二次光刻（photo-2）。

定义出半导体孤岛（a-siis1and），只保留未来tft沟道区域的那部分a-si，其他的用cf4o2等离子体干法刻蚀掉。”

“第三次薄膜沉积——源漏金属层。

同样用溅射法，镀上一层和栅极类似的金属层，比如cr（铬）或者还是o-a1-o。”

“第三次光刻（photo-3）。

定义出源极（ur）和数据线（datale）。

通过刻蚀形成图案。

注意，这里源漏极之间会有一个间隙，就是未来的沟道。”

“最后，沉积钝化层（passivationyer）。

再用pecvd镀一层氮化硅，保护下面的电路。

第四次光刻（photo-4），开出接触孔（tactho1e），露出漏极的一部分，以便后续连接像素电极。”

“沉积ito层。

用溅射法镀上氧化铟锡透明导电膜。

第五次光刻（photo-5），定义出像素电极（pixe1ito）。

这样，阵列基板就完成了。

看，核心其实就5次光刻！

比标准工艺简化了一大半！”

欧阳谦听得目瞪口呆，飞地在自己